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HY27UF082G2M-TES

产品描述Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
产品类别存储    存储   
文件大小449KB,共53页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY27UF082G2M-TES概述

Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48

HY27UF082G2M-TES规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间30 ns
其他特性CONTAINS ADDITIONAL 512M BIT SPARE MEMORY
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模2K
端子数量48
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织256MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3.3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm
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