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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71V428S15Y
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IDT71V428S15Y

产品描述Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
产品类别存储    存储   
文件大小20KB，共2页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V428S15Y概述

Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

IDT71V428S15Y规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
长度20.96 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10.16 mm

IDT71V428S15Y文档预览

3.3V CMOS STATIC RAM
4 MEG (1M x 4-BIT)
Integrated Device Technology, Inc.
ADVANCE
INFORMATION
IDT71V428
FEATURES:
• 1M x 4 advanced high-speed CMOS Static RAM
• JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
• Equal access and cycle times
— 12/15/20ns
• Single 3.3V power supply
• One Chip Select plus one Output Enable pin
• Bidirectional data inputs and outputs directly
TTL-compatible
• Low power consumption via chip deselect
• Available in 32-pin, 400 mil plastic SOJ package
DESCRIPTION:
The IDT71V428 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM
organized as 1M x 4. It is fabricated using IDT’s high-
perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-
the-art technology, combined with innovative circuit design
techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs.
The IDT71V428 has an output enable pin which operates
as fast as 6ns, with address access times as fast as 12ns. All
bidirectional inputs and outputs of the IDT71V428 are TTL-
compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully
static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or
refresh for operation.
The IDT71V428 is packaged in a 32-pin, 400mil Plastic
SOJ.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
A
0
•
•
•
A
19
ADDRESS
DECODER
•
•
•
4,194,304-BIT
MEMORY ARRAY
I/O
0
– I/O
3
4
¥
I/O CONTROL
4
4
WE#
OE#
CS#
CONTROL
LOGIC
3623 drw 01
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
©1996
Integrated Device Technology, Inc.
JULY 1996
3623/-
10.3
1
IDT71V428
3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (1M x 4-BIT)
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
PIN CONFIGURATION
PIN DESCRIPTION
A
0
– A
19
A
18
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I/O
0
V
DD
V
SS
I/O
1
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
19
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
SO32-3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
CS
WE
OE
Address Inputs
Chip Select
Write Enable
Output Enable
Data Input/Output
3.3V Power
Ground
Input
Input
Input
Input
I/O
Power
Gnd
3623 tbl 01
I/O
0
- I/O
3
V
DD
V
SS
OE
I/O
3
V
SS
V
DD
I/O
2
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
NC
3623 drw 02
SOJ
TOP VIEW
ORDERING INFORMATION
IDT 71V428
Device
Type
S
Power
XX
Speed
XXX
Package
Y
400-mil SOJ (S032-3)
12
15
20
Speed in nanoseconds
3623 drw 03
10.3
2
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IDT71V428S15Y相似产品对比

IDT71V428S15Y IDT71V428S12Y IDT71V428S20Y
描述 Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 Standard SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 Standard SRAM, 1MX4, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ
包装说明 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 SOJ, SOJ32,.44 0.400 INCH, SOJ-32
针数 32 32 32
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 15 ns 12 ns 20 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 20.96 mm 20.96 mm 20.955 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 32 32 32
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4 1MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.76 mm 3.76 mm 3.683 mm
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) TIN LEAD
端子形式 J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
I/O 类型 COMMON COMMON -
湿度敏感等级 3 3 -
封装等效代码 SOJ32,.44 SOJ32,.44 -
电源 3.3 V 3.3 V -
最大待机电流 0.02 A 0.02 A -
最小待机电流 3 V 3 V -
最大压摆率 0.13 mA 0.14 mA -
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V -
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V -

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