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IDT70V3389S6BFI: 产品描述Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208; 产品类别存储存储; 文件大小173KB，共17页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70V3389S6BFI概述

Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208

IDT70V3389S6BFI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA208,17X17,32
针数	208
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	6 ns
其他特性	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	208
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	15 mm

IDT70V3389S6BFI相似产品对比

	IDT70V3389S6BFI	IDT70V3389S6PRFI
描述	Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208	Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	QFP
包装说明	TFBGA, BGA208,17X17,32	PLASTIC, TQFP-128
针数	208	128
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	6 ns	6 ns
其他特性	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz	83 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0	e0
长度	15 mm	20 mm
内存密度	1179648 bit	1179648 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端口数量	2	2
端子数量	208	128
字数	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	64KX18	64KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	LFQFP
封装等效代码	BGA208,17X17,32	QFP128,.63X.87,20
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	240
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.03 A	0.03 A
最小待机电流	3.15 V	3.15 V
最大压摆率	0.36 mA	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	BALL	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20
宽度	15 mm	14 mm

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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