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IDT70104L35F

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX9, 35ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
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文件大小379KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70104L35F概述

Multi-Port SRAM, 1KX9, 35ns, CMOS, CQFP48, QFP-48

IDT70104L35F规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明QFP-48
针数48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQFP-F48
JESD-609代码e0
内存密度9216 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFF
封装等效代码QFL48,.75SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.7432 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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