Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, GPR-3A, 2 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Central Semiconductor |
包装说明 | E-LALF-W2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
应用 | GENERAL PURPOSE |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | E-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 3 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ELLIPTICAL |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
最大反向恢复时间 | 4 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
IN5554 | IN5553 | IN5552 | IN5550 | IN5551 | |
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描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, GPR-3A, 2 PIN | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, GPR-3A, 2 PIN | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, GPR-3A, 2 PIN | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, GPR-3A, 2 PIN | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, GPR-3A, 2 PIN |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 |
针数 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
应用 | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
最大输出电流 | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A |
封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS |
封装形状 | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V | 800 V | 600 V | 200 V | 400 V |
最大反向恢复时间 | 4 µs | 4 µs | 2 µs | 2 µs | 2 µs |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | - | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
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