Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 20.726 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP32,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最大待机电流 | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 7.5057 mm |
| CY14B256L-SZ35XI | CY14B256L-SP35XC | CY14B256L-SP35XIT | CY14B256L-SP45XC | CY14B256L-SZ45XIT | CY14B256L-SZ35XIT | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO48, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-48 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO48, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-48 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDSO48, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-48 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32 | |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | |
| 零件包装代码 | SOIC | SSOP | SSOP | SSOP | SOIC | SOIC | |
| 包装说明 | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32 | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-48 | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-48 | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-48 | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32 | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32 | |
| 针数 | 32 | 48 | 48 | 48 | 32 | 32 | |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | |
| 最长访问时间 | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 45 ns | 45 ns | 35 ns | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G48 | R-PDSO-G48 | R-PDSO-G48 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 | |
| JESD-609代码 | e3 | e4 | e4 | e4 | e3 | e3 | |
| 长度 | 20.726 mm | 15.875 mm | 15.875 mm | 15.875 mm | 20.726 mm | 20.726 mm | |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |
| 端子数量 | 32 | 48 | 48 | 48 | 32 | 32 | |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 85 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C | |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码 | SOP | SSOP | SSOP | SSOP | SOP | SOP | |
| 封装等效代码 | SOP32,.4 | SSOP48,.4 | SSOP48,.4 | SSOP48,.4 | SOP32,.4 | SOP32,.4 | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 | 260 | 260 | 260 | |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | |
| 座面最大高度 | 2.54 mm | 2.794 mm | 2.794 mm | 2.794 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | |
| 最大待机电流 | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A | |
| 最大压摆率 | 0.06 mA | 0.055 mA | 0.06 mA | 0.05 mA | 0.055 mA | 0.06 mA | |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | |
| 端子节距 | 1.27 mm | 0.635 mm | 0.635 mm | 0.635 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | |
| 宽度 | 7.5057 mm | 7.5057 mm | 7.5057 mm | 7.5057 mm | 7.5057 mm | 7.5057 mm |
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