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MR16R1622DF0-CK8

产品描述Rambus DRAM Module, 32MX16, 45ns, CMOS, RIMM-184
产品类别存储    存储   
文件大小442KB,共16页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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MR16R1622DF0-CK8概述

Rambus DRAM Module, 32MX16, 45ns, CMOS, RIMM-184

MR16R1622DF0-CK8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DMA
包装说明DIMM, DIMM184,40
针数184
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间45 ns
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)800 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MR16R1622(4/8/G)DF0
MR18R1622(4/8/G)DF0
Change History
Version 1.0 (July 2002)
* First copy.
* Based on the 1.4 ver. (July 2002) 256/288Mbit A-die RIMM
Module Datasheet
Page 0
Version 1.0 July 2002
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