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MR18R1622AF1-CN9

产品描述Rambus DRAM Module, 32MX18, CMOS, RIMM-184
产品类别存储    存储   
文件大小490KB,共18页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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MR18R1622AF1-CN9概述

Rambus DRAM Module, 32MX18, CMOS, RIMM-184

MR18R1622AF1-CN9规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DMA
包装说明,
针数184
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度18
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织32MX18
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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