QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | LBGA, BGA165,11X15,40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 0.45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 550 MHz |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
| 长度 | 17 mm |
| 内存密度 | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型 | QDR SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 165 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 最大待机电流 | 0.38 A |
| 最小待机电流 | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 1.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.89 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.71 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 15 mm |
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