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IS61QDPB42M18A1-550M3LI

产品描述QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165
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文件大小546KB,共35页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准
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IS61QDPB42M18A1-550M3LI概述

QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165

IS61QDPB42M18A1-550M3LI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)550 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.38 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率1.25 mA
最大供电电压 (Vsup)1.89 V
最小供电电压 (Vsup)1.71 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度15 mm

 
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