HY51V4460BLJC-80,HY51V4460BLJC-80 pdf中文资料,HY51V4460BLJC-80引脚图,HY51V4460BLJC-80电路-Datasheet-电子工程世界

HY51V4460BLJC-80: 产品描述Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, SOJ-40; 产品类别存储存储; 文件大小475KB，共16页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY51V4460BLJC-80概述

Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, SOJ-40

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ40,.44
针数	40
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J40
JESD-609代码	e0
长度	26.04 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	40
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ40,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	3.76 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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