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MT46V256M4TG-6TES:A

产品描述DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-66
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文件大小7MB,共73页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT46V256M4TG-6TES:A概述

DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-66

MT46V256M4TG-6TES:A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP,
针数66
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)235
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10.16 mm

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1Gb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
DOUBLE DATA RATE
(DDR) SDRAM
Features
• V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = +2.5V ±0.2V
• Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/
received with data, i.e., source-synchronous data
capture (x16 has two – one per byte)
• Internal, pipelined double-data-rate (DDR)
architecture; two data accesses per clock cycle
• Differential clock inputs (CK and CK#)
• Commands entered on each positive CK edge
• DQS edge-aligned with data for READs; center-
aligned with data for WRITEs
• DLL to align DQ and DQS transitions with CK
• Four internal banks for concurrent operation
• Data mask (DM) for masking write data (x16 has two
–one per byte)
• Programmable burst lengths: 2, 4, or 8
• Auto Refresh and Self Refresh Modes
• Longer lead TSOP for improved reliability (OCPL)
• 2.5V I/O (SSTL_2 compatible)
• Concurrent auto precharge option is supported
t
RAS lockout supported (
t
RAP =
t
RCD)
MT46V256M4 – 64 MEG X 4 X 4 BANKS
MT46V128M8 – 32 MEG X 8 X 4 BANKS
MT46V64M16 – 16 MEG X 16 X 4 BANKS
For the latest data sheet revisions, please refer to the
Micron Web site: www.micron.com/datasheets
Figure 1: Pin Assignment (Top View)
66-pin TSOP
x4
x8
x16
V
DD
V
DD
V
DD
NF
DQ0
DQ0
V
DD
Q V
DD
Q
V
DD
Q
NC
DQ1
NC
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
Q
V
SS
Q
VssQ
NC
DQ3
NC
NF
DQ2
DQ4
V
DD
Q V
DD
Q
V
DD
Q
NC
NC
DQ5
DQ1
DQ3
DQ6
V
SS
Q
V
SS
Q
VssQ
NC
DQ7
NC
NC
NC
NC
V
DD
Q V
DD
Q
V
DD
Q
NC
NC
LDQS
A13
A13
A13
V
DD
V
DD
V
DD
DNU
DNU
DNU
NC
NC
LDM
WE#
WE#
WE#
CAS#
CAS#
CAS#
RAS#
RAS#
RAS#
CS#
CS#
CS#
NC
NC
NC
BA0
BA0
BA0
BA1
BA1
BA1
A10/AP A10/AP A10/AP
A0
A0
A0
A1
A1
A1
A2
A2
A2
A3
A3
A3
V
DD
V
DD
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
x16
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
NC
V
SS
Q
UDQS
DNU
V
REF
V
SS
UDM
CK#
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
x8
V
SS
DQ7
V
SS
Q
NC
DQ6
V
DD
Q
NC
DQ5
V
SS
Q
NC
DQ4
V
DD
Q
NC
NC
V
SS
Q
DQS
DNU
V
REF
V
SS
DM
CK#
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
x4
V
SS
NF
V
SS
Q
NC
DQ3
V
DD
Q
NC
NF
V
SS
Q
NC
DQ2
V
DD
Q
NC
NC
V
SS
Q
DQS
DNU
V
REF
V
SS
DM
CK#
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
OPTIONS
• Configuration
256 Meg x 4 (64 Meg x 4 x 4 banks)
128 Meg x 8 (32 Meg x 8 x 4 banks)
64 Meg x 16 (16 Meg x 16 x 4 banks)
1
• Plastic Package – OCPL
66-pin TSOP(400 mil width, 0.65mm
pin pitch)
66-pin TSOP Lead-Free (400 mil width,
0.65mm pin pitch)
• Timing – Cycle Time
7.5ns @ CL = 2.5 (DDR266B)
2, 3
6ns @ CL = 2.5 (DDR333B)
• Temperature Rating
Commercial Temperature
(0°C to +70°C)
NOTE:
MARKING
256M4
128M8
64M16
TG
P
256 MEG X 4 128 MEG X 8 64 MEG X 16
Configuration
Refresh Count
Row Addressing
Bank Addressing
Column Addressing
64 Meg x 4 x 4
banks
8K
16K (A0–A13)
4(BA0,BA1)
4K(A0–A9,
A11, A12)
32 Meg x 8 x 4 16 Meg x 16 x 4
banks
banks
8K
8K
16K (A0–A13)
16K (A0–A13)
4(BA0,BA1)
4(BA0,BA1)
2K(A0–A9, A11)
1K(A0–A9)
Key Timing Parameters
-75
-6T
None
SPEED
GRADE
CLOCKRATE
CL = 2**
CL = 2.5**
DATA-OUT
WINDOW*
ACCESS
WINDOW
DQS–DQ
SKEW
-75
-6T
100 MHz
133 MHz
133 MHz
167 MHz
2.5ns
2.0ns
±0.75ns
±0.70ns
+0.5ns
+0.45ns
1. Check with Micron for availability.
2. Supports PC2100 modules with 2.5-3-3 timing
3. Supports PC1600 modules with 2-2-2 timing,
* Minimum clock rate @ CL = 2.5
** CL = CAS (Read) Latency
09005aef8076894f
1gbBDDRx4x8x16_1.fm - Rev. D 8/04 EN
1
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

MT46V256M4TG-6TES:A相似产品对比

MT46V256M4TG-6TES:A MT46V128M8STG-75:D MT46V128M8STG-75:C MT46V128M8TG-75ES:A
描述 DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-66 DDR DRAM, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 DDR DRAM, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 DDR DRAM, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-66
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP TSOP TSOP TSOP
包装说明 TSSOP, TSSOP, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 TSSOP,
针数 66 66 66 66
Reach Compliance Code compliant compliant unknown compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 66 66 66 66
字数 268435456 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 256000000 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256MX4 128MX8 128MX8 128MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSSOP TSSOP TSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 235 235 235 235
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
厂商名称 Micron Technology - Micron Technology Micron Technology
问:LM3S9B92的ADC采样保护 电源选择
图中的VDDA,能不能利用GPIO输出的高电平作为电源。。。。 本帖最后由 喜鹊王子 于 2012-4-12 21:21 编辑 ]...
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