电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND01GW3A1AZB1E

产品描述Flash, 128MX8, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
产品类别存储    存储   
文件大小883KB,共56页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

NAND01GW3A1AZB1E概述

Flash, 128MX8, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63

NAND01GW3A1AZB1E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间12000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
长度15 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.5 mm

文档预览

下载PDF文档
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 1 Gbit memory array
– Up to 32 Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
PAGE SIZE
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) Words
BLOCK SIZE
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 12µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 200µs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
– Simple interface with microcontroller
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP
OPTION
– Boot from NAND support
– Automatic Memory Download
SERIAL NUMBER OPTION
Figure 1. Packages
TSOP48 12 x 20mm
WSOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 8.5 x 15 x 1mm
TFBGA63 8.5 x 15 x 1.2mm
HARDWARE DATA PROTECTION
– Program/Erase locked during Power
transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and
hardware models
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– PC Demo board with simulation software
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
July 2004
1/56
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
MY-IMX8M-CB314 硬件介绍
MY-IMX8M-CB314 硬件介绍 目录 隐藏] 1MY-iMX8M_CB314视图 1.1正面 1.2背面 1.3尺寸 2MY-iMX8M_CB314参数 2.1主控平台详细参数 2.2硬件配置 2.3温度范围 2.3.1工作温度 2.3.2 ......
明远智睿Lan 嵌入式系统
直流电机电压检测系统设计
郁闷,我从1-111全看了就是没,有我的课程设计直流电机电压检测系统设计啊!!!一在那里啊????????...
bagege 单片机
TI电池充电管理 IC介绍---充电电流3A的bq25606
TI的充电管理芯片很多,在这里挑选一颗TI 典型3A充电芯片,BQ25606 - 采用高输入电压和电源路径的独立单节 3A 快速充电器,进行介绍。 bq25606 器件高度集成的独立 3.0A开关模式电池充 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
【晒电路】可调恒流的LED电路
这是一个可以调整亮度的LED驱动电路!没有经过实验!?希望拍砖!!...
到处看看 模拟电子
IC 基础知识(转帖)
IC基础知识介绍 我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子 是相对"强电"、"弱电"等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息 技术的基础,我们通 ......
月光边境 模拟电子
钽电容烧毁
本帖最后由 a3109006851 于 2021-9-10 22:53 编辑 562432 562433 562434562436 如图,C57是钽电容烧毁,此时加热功能没打开。电源是接12V的适配器。表现为电容两端短路。 ...
a3109006851 开关电源学习小组

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1651  2003  529  947  1705  40  37  47  21  35 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved