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MT4LSDT1664WG-133XX

产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, MICRO, DIMM-144
产品类别存储    存储   
文件大小338KB,共20页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT4LSDT1664WG-133XX概述

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, MICRO, DIMM-144

MT4LSDT1664WG-133XX规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)235
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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64MB, 128MB (x64)
144-PIN SDRAM MICRODIMM
SDRAM
MICRODIMM
Features
• JEDEC-standard, PC100, PC133, 144-pin,
MicroDIMM
• Utilizes 125 MHz and 133 MHz SDRAM
components
• 64MB (8 Meg x 64), 128MB (16 Meg x 64)
• Single +3.3V ±0.3V power supply
• Fully synchronous; all signals registered on positive
edge of system clock
• Internal pipelined operation; column address can
be changed every clock cycle
• Internal banks for hiding row access/precharge
• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page
• Auto Precharge and Auto Refresh Modes
• Self Refresh Mode: Standard and Low Power
• 64MB module: 64ms, 4,096-cycle refresh; 128MB
module: 64ms, 8,192-cycle refresh.
• LVTTL-compatible inputs and outputs
• Serial Presence-Detect (SPD)
• Gold edge contacts
MT4LSDT864W – 64MB
MT4LSDT1664W – 128MB
For the latest data sheet, please refer to the Micron Web
site:
www.micron.com/moduleds
Figure 1: 144-Pin MicroDIMM (MO–214)
Table 1:
MODULE
MARKING
-13E
-133
-10E
Device Timing
PC100
CL -
t
RCD -
t
RP
2-2-2
2-2-2
2-2-2
PC133
CL -
t
RCD -
t
RP
2-2-2
3-3-3
N/A
OPTIONS
MARKING
• Self Refresh Current
Standard
Low Power
• Package
144-pin MicroDIMM (standard)
144-pin MicroDIMM (lead-free)
• Frequency/CAS Latency
133 MHz/CL = 2
133 MHz/CL = 3
100 MHz/CL = 2
NOTE:
None
L
G
Y
-13E
-133
-10E
Table 2:
Address Table
64MB
128MB
8K
4 (BA0, BA1)
8K (A0–A12)
512 (A0–A8)
1 (S0)
16 Meg x 16
4K
4 (BA0, BA1)
4K (A0–A11)
512 (A0–A8)
1 (S0)
8 Meg x 16
1. Contact Micron for availability of lead-free prod-
ucts.
Refresh Count
Device Banks
Row Addressing
Column Addressing
Module Ranks
Component
Configuration
09005aef80dc39c7
SD4C8_16x64WG_B.fm - Rev. B 9/03 EN
1
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.
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