电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MT4VDDT3232UY-75XX

产品描述DDR DRAM Module, 32MX32, 0.75ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100
产品类别存储    存储   
文件大小472KB,共27页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MT4VDDT3232UY-75XX概述

DDR DRAM Module, 32MX32, 0.75ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100

MT4VDDT3232UY-75XX规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N100
JESD-609代码e4
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量100
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX32
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

MT4VDDT3232UY-75XX相似产品对比

MT4VDDT3232UY-75XX MT4VDDT1632UG-75XX MT4VDDT1632UY-6XX MT4VDDT3232UG-75XX MT4VDDT3232UG-6XX MT4VDDT3232UY-6XX MT4VDDT1632UY-75XX MT4VDDT1632UG-6XX MT4VDDT1632UG-75B1
描述 DDR DRAM Module, 32MX32, 0.75ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100 DDR DRAM Module, 16MX32, 0.75ns, CMOS, DIMM-100 DDR DRAM Module, 16MX32, 0.7ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100 DDR DRAM Module, 32MX32, 0.75ns, CMOS, DIMM-100 DDR DRAM Module, 32MX32, 0.7ns, CMOS, DIMM-100 DDR DRAM Module, 32MX32, 0.7ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100 DDR DRAM Module, 16MX32, 0.75ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100 DDR DRAM Module, 16MX32, 0.7ns, CMOS, DIMM-100 DDR DRAM Module, 16MX32, 0.75ns, CMOS, DIMM-100
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 不符合 符合 符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM-100
针数 100 100 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant unknown compliant compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N100 R-XDMA-N100 R-XDMA-N100 R-XDMA-N100 R-XDMA-N100 R-XDMA-N100 R-XDMA-N100 R-XDMA-N100 R-XDMA-N100
内存密度 1073741824 bit 536870912 bit 536870912 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 100 100
字数 33554432 words 16777216 words 16777216 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 32000000 16000000 16000000 32000000 32000000 32000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX32 16MX32 16MX32 32MX32 32MX32 32MX32 16MX32 16MX32 16MX32
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 235 260 235 235 260 260 235 235
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30 30 30
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 - 不含铅 含铅 含铅
厂商名称 Micron Technology - - - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1025  1130  1350  1418  1646 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved