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SMBJ120A-T

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共10页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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SMBJ120A-T概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

SMBJ120A-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
包装说明SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN
最大击穿电压147 V
最小击穿电压133 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
最大重复峰值反向电压120 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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TVS
TFMBJ
SURFACE MOUNT GPP
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
600 WATT PEAK POWER 5.0 WATTS STEADY STATE
FEATURES
*
*
*
*
*
*
Plastic package has underwriters laboratory
Glass passivated chip construction
600 watt surage capability at 1ms
Excellent clamping capability
Low zener impedance
Fast response time
SERIES
0.083 (2.11)
0.077 (1.96)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
o
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
Dimensions in inches and (millimeters)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA suffix for types TFMBJ5.0 thru TFMBJ170
Electrical characteristics apply in both direction
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Peak Power Dissipation with a 10/1000uS (Note 1,2, Fig.1)
Peak Pulse Current with a 10/1000uS waveform ( Note 1, Fig.3 )
Steady State Power Dissipation at T
L
= 75 C (Note 2)
Peak Forward Surge Current 8.3mS single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method) (Note 2,3)
unidirectional only
Typical Current Squarad Time
o
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
P
M
(AV)
I
FSM
I
2
t
VALUE
Minimum 600
SEE TABLE 1
5.0
100
41.5
UNITS
Watts
Amps
Watts
Amps
A
2
/Sec
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for unidirectional
only (Note 3,4)
Operating and Storage Temperature Range
V
F
T
J
, T
STG
SEE NOTE 4
-55 to + 150
Volts
0
C
2016-10
REV:B
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
o
C per Fig.2.
2. Mounted on 0.2 X 0.2”( 5.0 X 5.0mm ) copper pad to each terminal.
o
3. Lead temperature at T
L
= 25 C
4. Measured on 8.3mS single half sine-wave duty cycle = 4 pules per minute maximum.
5. V
F
= 3.5V on TFMBJ-5.0 thru TFMBJ-90 devices and V
F
= 5.0V on TFMBJ-100 thru TFMBJ-170 devices.

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