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TSM024NA04LCRRLG

产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN56, 8 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小416KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSM024NA04LCRRLG概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN56, 8 PIN

TSM024NA04LCRRLG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)346 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.003 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
湿度敏感等级3
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)680 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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