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MJD127-T1

产品描述Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共3页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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MJD127-T1概述

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

MJD127-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)8 A
基于收集器的最大容量300 pF
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max4 V

MJD127-T1相似产品对比

MJD127-T1 MJD127-1
描述 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
基于收集器的最大容量 300 pF 300 pF
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP PNP
功耗环境最大值 20 W 20 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
VCEsat-Max 4 V 4 V

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