Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 8 A |
基于收集器的最大容量 | 300 pF |
集电极-发射极最大电压 | 100 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
功耗环境最大值 | 20 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 4 V |
MJD127-T1 | MJD127-1 | |
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描述 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 8 A | 8 A |
基于收集器的最大容量 | 300 pF | 300 pF |
集电极-发射极最大电压 | 100 V | 100 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
功耗环境最大值 | 20 W | 20 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | NO |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
VCEsat-Max | 4 V | 4 V |
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