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CMKT3946LEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SOT-363, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小429KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMKT3946LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SOT-363, 6 PIN

CMKT3946LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-363
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns

CMKT3946LEADFREE文档预览

CMKT3904 NPN/NPN
CMKT3906 PNP/PNP
CMKT3946 NPN/PNP
SURFACE MOUNT
DUAL SMALL SIGNAL SILICON
SWITCHING TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The Central Semiconductor CMKT3904 (two single
NPN), CMKT3906 (two single PNP), and CMKT3946
(one each NPN and PNP complementary) are
combinations of transistors in a space saving
SOT-363 ULTRAmini™ package, designed for
small signal general purpose amplifier and switching
applications.
CMKT3904 MARKING CODE: K04
CMKT3906 MARKING CODE: K06
CMKT3946 MARKING CODE: K46
• One NPN (3904) and one PNP (3906)
complementary Transistor in a single package
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
NPN
60
40
6.0
PNP
40
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
SOT-363 CASE
FEATURES:
• ULTRAmini™ space saving package
• Two NPN (3904) or Two PNP (3906)
Transistors in a single package
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
200
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
PNP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
MIN
MAX
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
-
50
-
50
IBL
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
300
-
-
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
4.0
8.0
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
60
80
100
60
30
250
-
-
-
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
4.5
10
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
R5 (17-November 2011)
CMKT3904 NPN/NPN
CMKT3906 PNP/PNP
CMKT3946 NPN/PNP
SURFACE MOUNT
DUAL SMALL SIGNAL SILICON
SWITCHING TRANSISTORS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR - Continued:
(TA=25°C)
NPN
PNP
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
MAX
MIN
MAX
hie
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
1.0
10
2.0
12
hre
hfe
hoe
NF
td
tr
ts
tf
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=1.0kΩ, f=10Hz to 15.7kHz
VCC=3.0V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1.0mA
VCC=3.0V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1.0mA
VCC=3.0V, IC=10mA, IB1=IB2=1.0mA
VCC=3.0V, IC=10mA, IB1=IB2=1.0mA
0.5
100
1.0
-
-
-
-
-
8.0
400
40
5.0
35
35
200
50
0.1
100
3.0
-
-
-
-
-
10
400
60
4.0
35
35
225
75
μS
dB
ns
ns
ns
ns
UNITS
x10
-4
SOT-363 CASE - MECHANICAL OUTLINE
PIN CONFIGURATIONS
LEAD CODES:
1) Emitter Q1
2) Base Q1
3) Collector Q2
4) Emitter Q2
5) Base Q2
6) Collector Q1
CMKT3904
(NPN/NPN)
MARKING CODE: K04
CMKT3906
(PNP/PNP)
MARKING CODE: K06
CMKT3946
(NPN/PNP)
MARKING CODE: K46
R5 (17-November 2011)
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