电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

FDB104S

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1A, 400V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小123KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FDB104S概述

Bridge Rectifier Diode, 1A, 400V V(RRM),

FDB104S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装YES

FDB104S相似产品对比

FDB104S FDB103S FDB105S FDB101S
描述 Bridge Rectifier Diode, 1A, 400V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 1A, 600V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 1A, 50V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 4 4 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V 600 V 50 V
表面贴装 YES YES YES YES
usb3300 与 fpga 连接的ip core,
usb3300 使用 ulpr 支持usb2.0 , 我希望连接fpga我曾经实现了 fpga 与ch372/375 的通讯。我终于找到了 usb3300 与 fpga 的ip core. 但verilog 文件很多,一时看不懂。有同样兴趣的一起来研究吗?可以这里下载,也可以加我qq:635477196 理文, 我可以传给你。...
liwenz Altera SoC
白菜问题:wince中如何判断nandflash是exfat,还是TFAT格式?
在wince中如何判断flash格式为exfat还是fat,还是tfat文件格式?...
marchz WindowsCE
看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值
转自:deyisupport[align=left]在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可(IDA、SOA曲线),而其它的某些参数自始至终就毫无用处(比如说:开关时间)。在这个即将开始的博文系列中,我们将试着破解FET数据表,这样的话,读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他...
okhxyyo 模拟与混合信号
STM32,51,上位机程序代写
STM32,51,上位机程序代写。有意向者请咨询QQ945116700.或短信 18990598335...
duolinduo stm32/stm8
【求助】P1DIR |=0x01与P1DIR |=BIT0+BIT4区别?
我看到胡大可老师那本书上定义P1.0为输出用上面两种方式,但是这两个值不一样啊?0x01和BIT0+BIT4(BIT0=0x0001,BIT4=0x0010)...
ccqingzhi 微控制器 MCU
有关定制及使用IP核
[size=5][color=red][b]出现以下错误是因为:(希望高人指点下,谢谢)[/b][/color][/size][b][size=5]Error: Node instance "i_mc8051_ram" instantiates undefined entity "mc8051_ram"Error: Quartus II Analysis & Synthesis was unsuc...
emnqsu FPGA/CPLD

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 430  982  1141  1573  1672 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved