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K3N5C1000E-DC10

产品描述MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
产品类别存储    存储   
文件大小52KB,共3页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K3N5C1000E-DC10概述

MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

K3N5C1000E-DC10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP42,.6
针数42
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-PDIP-T42
JESD-609代码e0
长度52.42 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量42
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP42,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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