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IDT71V2576S133BGI8

产品描述Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
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文件大小508KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V2576S133BGI8概述

Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

IDT71V2576S133BGI8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明BGA-119
针数119
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4.2 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大待机电流0.035 A
最小待机电流3.13 V
最大压摆率0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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