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MSM514400A-70J

产品描述Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20
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文件大小786KB,共15页
制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd
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MSM514400A-70J概述

Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20

MSM514400A-70J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明SOJ, SOJ20/26,.4
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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