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TC5116405CST-60

产品描述IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共27页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC5116405CST-60概述

IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM

TC5116405CST-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2,
针数26/24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G24
长度17.14 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.7 mm

TC5116405CST-60相似产品对比

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描述 IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM
零件包装代码 TSOP TSOP SOJ SOJ SOJ TSOP
包装说明 TSOP2, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
针数 26/24 26/24 24 24 24 26/24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 50 ns 40 ns 50 ns 60 ns 40 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24
长度 17.14 mm 17.14 mm 17.15 mm 17.15 mm 17.15 mm 17.14 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ SOJ TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING J BEND J BEND J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)

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