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MT46H32M16LFBF-5:B

产品描述DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共98页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT46H32M16LFBF-5:B概述

DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60

MT46H32M16LFBF-5:B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA60,9X10,32
针数60
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度9 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA60,9X10,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm
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