Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY23C04000D-100

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HY23C04000D-100: 产品描述MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小83KB，共6页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY23C04000D-100概述

MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

HY23C04000D-100规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
长度	41.91 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.826 mm
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm

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HY23C04000

Description

512KX8 BIT

CMOS MASK ROM

The HY23C04000 high performance read only memory is organized 524,288 x 8 bit (byte mode) and has

an access time of 70/100/120ns. The low power feature allows the battery operation. The large size

of 4M bit memory density is ideal for charactergenerator, data or program memory in micro-processor

application. The HY23C04000 is packaged 32pin DIP or 32 pin SOP.

Key features

• 524,288 X 8bit organiszation

• Single 5V power supply operation

• Access Time : 70/100/120ns (Max)

• Standby Current : 50 (Max)

• Operating Current : 60 (Max)

• TTL compatible inputs and outputs

• 3-State outputs for wired-OR expansion

• Programmable CE or OE pin

• Fully static operation

• Package

HY23C04000D : 32pin Plastic DIP(600 mil)

HY23C04000S : 32pin Plastic SOP(500mil)

Pin Description

A0~A18

Q0~Q7

CEB*

OEB*

VCC

VSS

Function

Address inputs

Data Outputs

Chip Enable input

Output Enable input

Power supply

Ground

* User selectable polarity

• CEB : CE/CEB

• OEB : OE/OEB

Pin Configuration

A16

A15

A12

VSS

32DIP

VCC

A18

A17

A14

A13

A11

OEB

A10

CEB

A16

A15

A12

VSS

32SOP

VCC

A18

A17

A14

A13

A11

OEB

A10

CEB

HY23C04000D

HY23C04000S

Rev0 Page 1 of 6

HY23C04000D-100相似产品对比

	HY23C04000D-100	HY23C04000S-120	HY23C04000S-70	HY23C04000S-100	HY23C04000D-120
描述	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-32	MASK ROM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-32	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-32	MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6	SOP, SOP32,.56	SOP, SOP32,.56	SOP, SOP32,.56	DIP, DIP32,.6
针数	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	120 ns	70 ns	100 ns	120 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32
长度	41.91 mm	20.4978 mm	20.4978 mm	20.4978 mm	41.91 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOP	SOP	SOP	DIP
封装等效代码	DIP32,.6	SOP32,.56	SOP32,.56	SOP32,.56	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.826 mm	2.769 mm	2.769 mm	2.769 mm	4.826 mm
最大待机电流	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最大压摆率	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	11.2015 mm	11.2015 mm	11.2015 mm	15.24 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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