Flash, 256KX8, 90ns, CDIP32, CERDIP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | WDIP, |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 90 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 42.165 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 编程电压 | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm |

| MD28F020-90 | MF28F020-15 | MF28F020-12 | MF28F020-20 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Flash, 256KX8, 90ns, CDIP32, CERDIP-32 | 256KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | 256KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | 256KX8 FLASH 12V PROM, 200ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
| 零件包装代码 | DIP | DFP | DFP | DFP |
| 包装说明 | WDIP, | DFP, | DFP, | DFP, |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 90 ns | 150 ns | 120 ns | 200 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 | R-CDFP-F32 | R-CDFP-F32 | R-CDFP-F32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 42.165 mm | 20.825 mm | 20.825 mm | 20.825 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | WDIP | DFP | DFP | DFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 编程电压 | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 3.05 mm | 3.05 mm | 3.05 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | FLAT | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 10.415 mm | 10.415 mm | 10.415 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved