Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TN6719AD27Z

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TN6719AD27Z: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小42KB，共2页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

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TN6719AD27Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226

TN6719AD27Z规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fairchild
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
集电极-发射极最大电压	300 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JEDEC-95代码	TO-226
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	30 MHz

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	TN6719AD27Z	TN6719AD75Z	TN6719AJ18Z	TN6719AD74Z	TN6719AD26Z	TN6719AJ05Z
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226, TO-226, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226, TO-226, 3 PIN
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A
集电极-发射极最大电压	300 V	300 V	300 V	300 V	300 V	300 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	40	40	40	40
JEDEC-95代码	TO-226	TO-226	TO-226	TO-226	TO-226	TO-226
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-

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