HY51V16804CT-80,HY51V16804CT-80 pdf中文资料,HY51V16804CT-80引脚图,HY51V16804CT-80电路-Datasheet-电子工程世界

HY51V16804CT-80: 产品描述EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28; 产品类别存储存储; 文件大小382KB，共8页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY51V16804CT-80概述

EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP2, TSOP28,.34
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	18.41 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP28,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

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