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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> UPD444004LG5-A12-7JD
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UPD444004LG5-A12-7JD

产品描述1MX4 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
产品类别存储    存储   
文件大小93KB，共16页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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UPD444004LG5-A12-7JD概述

1MX4 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

UPD444004LG5-A12-7JD规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TSOP2
包装说明0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量32
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

UPD444004LG5-A12-7JD文档预览

DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
µ
PD444004L
4M-BIT CMOS FAST SRAM
1M-WORD BY 4-BIT
Description
The
µ
PD444004L is a high speed, low power, 4,194,304 bits (1,048,576 words by 4 bits) CMOS static RAM.
Operating supply voltage is 3.3 V
±
0.3 V.
The
µ
PD444004L is packaged in a 32-pin plastic SOJ and 32-pin plastic TSOP (II).
Features
•
1,048,576 words by 4 bits organization
•
Fast access time : 8, 10, 12 ns (MAX.)
•
Output Enable input for easy application
•
Single +3.3 V power supply
Ordering Information
Part number
Package
Access time
ns (MAX.)
Supply current mA (MAX.)
At operating
180
160
150
180
160
150
At standby
5
µ
PD444004LLE-A8
µ
PD444004LLE-A10
µ
PD444004LLE-A12
32-pin plastic SOJ
(10.16 mm (400))
8
10
12
•
•
•
•
µ
PD444004LG5-A8-7JD
Note
µ
PD444004LG5-A10-7JD
Note
µ
PD444004LG5-A12-7JD
Note
32-pin plastic TSOP (II)
(10.16 mm (400))
(Normal bent)
8
10
12
Note
Under development
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. M14427EJ3V0DS00 (3rd edition)
Date Published January 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
•
shows major revised points.
©
1999
µ
PD444004L
Pin Configurations (Marking Side)
/××× indicates active low signal.
32-pin plastic SOJ (10.16 mm (400))
[
µ
PD444004LLE ]
32-pin plastic TSOP (II) (10.16 mm (400)) (Normal bent)
[
µ
PD444004LG5-×××
×××-7JD
]
×××
A0
A1
A2
A3
A4
/CS
I/O1
V
CC
GND
I/O2
/WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A19
A18
A17
A16
A15
/OE
I/O4
GND
V
CC
I/O3
A14
A13
A12
A11
A10
NC
A0 - A19
: Address Inputs
I/O1 - I/O4 : Data Inputs / Outputs
/CS
/WE
/OE
V
CC
GND
NC
: Chip Select
: Write Enable
: Output Enable
: Power supply
: Ground
: No connection
Remark
Refer to
Package Drawings
for the 1-pin index mark.
2
Data Sheet M14427EJ3V0DS
µ
PD444004L
Block Diagram
Address buffer
A0
|
A19
Row decoder
Memory cell array
4,194,304 bits
I/O1
|
I/O4
Input data
controller
Sense amplifier /
Switching circuit
Column decoder
Output data
controller
Address buffer
/CS
/OE
/WE
V
CC
GND
Truth Table
/CS
H
L
L
L
/OE
/WE
Mode
Not selected
Read
Write
Output disable
I/O
High impedance
D
OUT
D
IN
High impedance
Supply current
I
SB
I
CC
×
L
×
H
L
H
×
H
Remark
×
: Don’t care
Data Sheet M14427EJ3V0DS
3
µ
PD444004L
Electrical Specifications
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
V
CC
V
T
T
A
T
stg
Condition
Rating
–0.5
Note
to +4.0
–0.5
Note
to +4.0
0 to 70
–55 to +125
Unit
V
V
°C
°C
•
•
Supply voltage
Input / Output voltage
Operating ambient temperature
Storage temperature
Note
–2.0 V (MIN.) (pulse width : 2 ns)
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Rating could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply voltage
High level input voltage
Low level input voltage
Operating ambient temperature
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
Condition
MIN.
3.0
2.0
–0.3
Note
0
TYP.
3.3
MAX.
3.6
V
CC
+0.3
+0.8
70
Unit
V
V
V
°C
Note
–2.0 V (MIN.) (pulse width : 2 ns)
4
Data Sheet M14427EJ3V0DS
µ
PD444004L
DC Characteristics (Recommended Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Symbol
I
LI
I
LO
Test condition
V
IN
= 0 V to V
CC
V
I/O
= 0 V to V
CC
,
/CS = V
IH
or /OE = V
IH
or /WE = V
IL
Operating supply current
I
CC
/CS = V
IL
,
I
I/O
= 0 mA,
Minimum cycle time
Standby supply current
I
SB
I
SB1
Cycle time : 8 ns
Cycle time : 10 ns
Cycle time : 12 ns
180
160
150
40
5
mA
mA
MIN.
–2
–2
TYP.
MAX.
+2
+2
Unit
µ
A
µ
A
/CS = V
IH
, V
IN
= V
IH
or V
IL
/CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
IN
≤
0.2 V or V
IN
≥
V
CC
– 0.2 V
High level output voltage
Low level output voltage
V
OH
V
OL
I
OH
= –4.0 mA
I
OL
= +8.0 mA
2.4
0.4
V
V
Remarks 1.
V
IN
: Input voltage
V
I/O
: Input / Output voltage
2.
These DC characteristics are in common regardless of package types.
Capacitance (T
A
=
25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Input capacitance
Input / Output capacitance
Symbol
C
IN
C
I/O
V
IN
= 0 V
V
I/O
= 0 V
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
6
8
Unit
pF
pF
Remarks 1.
V
IN
: Input voltage
V
I/O
: Input / Output voltage
2.
These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
Data Sheet M14427EJ3V0DS
5
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UPD444004LG5-A12-7JD UPD444004LG5-A8-7JD UPD444004LG5-A10-7JD
描述 1MX4 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 1MX4 STANDARD SRAM, 8ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 1MX4 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
针数 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 8 ns 10 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4
功能数量 1 1 1
端子数量 32 32 32
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4 1MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP32,.46 TSOP32,.46 TSOP32,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.15 mA 0.18 mA 0.16 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm

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