K8S1215EZC-DC1D0,K8S1215EZC-DC1D0 pdf中文资料,K8S1215EZC-DC1D0引脚图,K8S1215EZC-DC1D0电路-Datasheet-电子工程世界

K8S1215EZC-DC1D0: 产品描述Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64; 产品类别存储存储; 文件大小667KB，共83页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K8S1215EZC-DC1D0概述

Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA64,10X14,20
针数	64
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	100 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B64
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	512
端子数量	64
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA64,10X14,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
部门规模	64K
最大待机电流	0.00003 A
最大压摆率	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.5 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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