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EDI8M8256P100C6B

产品描述SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS,
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文件大小300KB,共6页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8M8256P100C6B概述

SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS,

EDI8M8256P100C6B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-T32
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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