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V58C2256164SILI6I

产品描述DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66
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文件大小1MB,共60页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V58C2256164SILI6I概述

DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66

V58C2256164SILI6I规格参数

参数名称属性值
厂商名称ProMOS Technologies Inc
零件包装代码TSSOP2
包装说明TSSOP,
针数66
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G66
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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