MBM29LV400B-15PFTN概述

Flash, 256KX16, 150ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP-48

MBM29LV400B-15PFTN规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	TSOP
包装说明	PLASTIC, TSOP-48
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
备用内存宽度	8
启动块	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	18.4 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
类型	NOR TYPE
宽度	12 mm

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MBM29LV400B-15PFTN相似产品对比

	MBM29LV400B-15PFTN
描述	Flash, 256KX16, 150ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP-48
厂商名称	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	TSOP
包装说明	PLASTIC, TSOP-48
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
备用内存宽度	8
启动块	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	18.4 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
组织	256KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
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