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TM4256EC4-15L

产品描述DRAM Module, 256KX4, 150ns, NMOS, SIMM-22
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文件大小244KB,共5页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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TM4256EC4-15L概述

DRAM Module, 256KX4, 150ns, NMOS, SIMM-22

TM4256EC4-15L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
包装说明SIMM,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间150 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-XSMA-T22
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型DRAM MODULE
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量22
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX4
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

TM4256EC4-15L相似产品对比

TM4256EC4-15L TM4256EC4-20L TM4256EC4-12L
描述 DRAM Module, 256KX4, 150ns, NMOS, SIMM-22 DRAM Module, 256KX4, 200ns, NMOS, 2.200 X 0.450 INCH, SIMM-22 DRAM Module, 256KX4, 120ns, NMOS, SIMM-22
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 SIMM, SIMM, SIMM,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 150 ns 200 ns 120 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-XSMA-T22 R-XSMA-T22 R-XSMA-T22
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE
内存宽度 4 4 4
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 22 22 22
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM SIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
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