OTP ROM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQCC28, PLASTIC, LCC-28
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | QLCC |
包装说明 | PLASTIC, LCC-28 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 15 ns |
其他特性 | DIAGNOSTIC PROM |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J28 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 8KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC28,.5SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.12 A |
最大压摆率 | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
CY7C269-25JC | CY7C269-40WC | CY7C269-15WMB | CY7C269-25WC | |
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描述 | OTP ROM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 | UVPROM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, WINDOWED, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | UVPROM, 8KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, WINDOWED, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | UVPROM, 8KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, WINDOWED, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | QLCC | DIP | DIP | DIP |
包装说明 | PLASTIC, LCC-28 | 0.300 INCH, WINDOWED, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | 0.300 INCH, WINDOWED, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | 0.300 INCH, WINDOWED, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 |
针数 | 28 | 28 | 28 | 28 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 15 ns | 20 ns | 12 ns | 15 ns |
其他特性 | DIAGNOSTIC PROM | DIAGNOSTIC PROM | DIAGNOSTIC PROM | DIAGNOSTIC PROM |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J28 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 |
字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 125 °C | 70 °C |
组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | QCCJ | DIP | DIP | DIP |
封装等效代码 | LDCC28,.5SQ | DIP28,.3 | DIP28,.3 | DIP28,.3 |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.12 A | 0.1 A | 0.14 A | 0.12 A |
最大压摆率 | 0.12 mA | 0.1 mA | 0.14 mA | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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