datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> MSTC40-12
PDF数据手册
文档预览

MSTC40-12

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, T1, 7 PIN
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小184KB，共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MSTC40-12在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
MSTC40-12 - - 点击查看 点击购买

MSTC40-12概述

Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, T1, 7 PIN

MSTC40-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流150 mA
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大均方根通态电流62.8 A
断态重复峰值电压1200 V
重复峰值反向电压1200 V
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
触发设备类型SCR

MSTC40-12文档预览

MSTC40
Thyristor/Diode Modules
V
RRM
/ V
DRM
800 to 1600V
I
TAV
40Amp
Applications
Power Converters
Lighting Control
DC Motor Control and Drives
Heat and temperature control
Circuit
1
2
6
7
5
4
Features
International standard package
High Surge Capability
Glass passivated chip
Simple Mounting
Heat transfer through aluminum oxide DCB
ceramic isolated metal baseplate
MSTC
3
Module Type
TYPE
MSTC40-08
MSTC40-12
MSTC40-16
V
RRM
800V
1200V
1600V
V
RSM
900V
1300V
1700V
Maximum Ratings
Symbol
I
TAV
I
TSM
i
2
t
Visol
Tvj
Tstg
Mt
Ms
di/dt
dv/dt
a
Weight
To terminals(M5)
To heatsink(M6)
T
VJ
= T
VJM
, 2/3V
DRM
,I
G
=500mA
Tr<0.5us,tp>6us
T
J
= T
VJM
,2/3V
DRM
linear voltage rise
Maximum allowable acceleration
Module(Approximately)
Conditions
Sine 180 ;Tc=85℃
T
VJ
=45℃ t=10ms, sine
T
VJ
=125℃ t=10ms, sine
T
VJ
=45℃ t=10ms, sine
T
VJ
=125℃ t=10ms, sine
a.c.50HZ;r.m.s.;1min
o
Values
40
1000
850
5000
3600
3000
-40 to 125
-40 to 125
3±15%
5±15%
150
1000
50
100
Units
A
A
A2s
V
℃
℃
Nm
Nm
A/us
V/us
m/s
2
g
Thermal Characteristics
Symbol
Rth(j-c)
Rth(c-s)
MSTC40 – Rev 0
Oct, 2011
Conditions
Cont.;per thyristor / per module
per thyristor / per module
Values
0.65/0.33
0.2/0.1
Units
℃/W
℃/W
www.microsemi.com
1/4
MSTC40
Electrical Characteristics
Symbol
V
TM
I
RRM
/I
DRM
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
tgd
tq
Conditions
T=25℃ I
TM
=200A
T
VJ
=T
VJM
,V
R
=V
RRM
,V
D
=V
DRM
For power-loss calculations only (T
VJ
=125℃)
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=25℃ , V
D
=6V
T
VJ
=25℃ , V
D
=6V
T
VJ
=125℃ , V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=125℃ , V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=25℃ , R
G
= 33
Ω
T
VJ
=25℃ , V
D
=6V
T
VJ
=25℃, I
G
=1A, di
G
/dt=1A/us
T
VJ
=T
VJM
Min.
Values
Typ.
Max.
1.95
15
1.0
4.5
2.5
150
0.25
6
Units
V
mA
V
mΩ
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
300
150
1
80
600
250
MSTC40 – Rev 0
Oct, 2011
www.microsemi.com
2/4
MSTC40
Performance Curves
100
W
75
rec.120
rec.60
sin.180
DC
60
A
48
sin.180
DC
36
50
rec.30
rec.120
rec.60
24
rec.30
25
P
TAV
0
0 I
TAV
10
20
30
40
50
A 60
12
I
TAVM
0
0 Tc
50
100
℃
130
Fig1. Power dissipation
1.0
℃/
W
Z
th(j-
S
)
1000
A
Fig2.Forward Current Derating Curve
50HZ
Z
th(j-
C
)
0.5
500
0
0.001 t 0.01
0.1
1
10
S 100
0
10
100
ms 1000
Fig3. Transient thermal impedance
250
A
200
125
℃
150
max
.
100
25
℃
25
I
T
0
0 V
TM
0.5
1.0
1.5
2.0
V
2.5
Typ
.
Fig4. Max Non-Repetitive Forward Surge
Current
Fig5. Forward Characteristics
MSTC40 – Rev 0
Oct, 2011
www.microsemi.com
3/4
MSTC40
100
V
20V;20
Ω
10
1/2·
MSCT40
V
GT
1
PG(tp)
T
vj
V
GD125
℃
I
GD125
℃
0.001 I
G
0.01
-40℃
25℃
125℃
V
G
0.1
I
GT
0.1
1
10
A 100
Fig6. Gate trigger Characteristics
Package Outline Information
CASE: T1
×
Dimensions in mm
MSTC40 – Rev 0
Oct, 2011
www.microsemi.com
4/4
查看更多（仅显示前5页内容，查看全部内容请下载文档。）>

MSTC40-12相似产品对比

MSTC40-12 MSTC40-08
描述 Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, T1, 7 PIN Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, T1, 7 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数 7 7
Reach Compliance Code compliant compli
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA
JESD-30 代码 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7
元件数量 2 2
端子数量 7 7
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大均方根通态电流 62.8 A 62.8 A
断态重复峰值电压 1200 V 800 V
重复峰值反向电压 1200 V 800 V
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
触发设备类型 SCR SCR

推荐资源

“随声听”功率接续器的制作02

双液位检测器电路图

银利牌YF-9902喷汽喷雾电熨斗电路图

红外传感器温度检测电路

运算放大器输出功率放大电路

电脑主板电路图 815 4_28

器件捷径:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

  1. KIS122-176GT
  2. 2200AA3F001B2SB
  3. HVC1206U1004KET
  4. RWR89S33R2FSRSL
  5. PJGBLC12C-R1-10001
  6. WTAV26PD7SY
  7. VSSRC1284-3T5
  8. TKJB7S17B8HSN
  9. P6SMBJ75C_R1_00001
  10. A2549HB-2x8P+A2549-TP-A
  11. A2549WVK-25P-BK
  12. CC3A101KC1AESL5F30MF

开源项目推荐更多

  1. 具有过流保护功能的 LTC3897HFE 高效两相 48V 升压转换器的典型应用电路
  2. AD5348 并行接口、八路电压输出、12 位 DAC 的典型应用
  3. LT3088EDD 升压型固定输出稳压器的典型应用
  4. LM217、5V电子关断稳压器的典型应用
  5. SI2110USB-EVB，用于具有 USB 接口的 SI2110 SiRX DVB-S/DSS 卫星接收器 IC 的评估板
  6. TCR5SB47、200mA、4.7V 输出电压 CMOS 低压降稳压器的典型应用
  7. 使用热电偶测量温度的两种方法具有简单性、准确性和灵活性
  8. AM6TW-2415SZ 15V 6 瓦单路输出 DC-DC 转换器的典型应用
  9. STBB3J 2 A、高效率单电感降压-升压DC-DC转换器的典型应用
  10. EVAL-CN0370-PMDZ、16 位、单电源 LED 电流驱动器评估板，积分和微分非线性小于 ±1 LSB

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. 内核(2.6.14) + 根文件系统 +Qtopia Core 4移植 for S3C2410
  2. 解决MDK通过JLink烧写程序之后必须断电才可以运行的问题
  3. 进一步降低RISC-V芯片的门槛，西部数据核心开源
  4. Anybus无线堡CAN：通过Wi-Fi或蓝牙进行CAN通信
  5. OPPO发布首个自研NPU芯片, 陈明永：自研芯片的脚步不会停止
  6. 投行上调苹果目标股价 看好5G iPhone SE前景
  7. 瑞萨电子副总裁：瑞萨五年大变革背后的逻辑闭环
  8. 数字万用表电阻的测量读数

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1407  1472  1847  2347  1300  55  4  15  23  12 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved