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IXGA8N100

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小550KB,共4页
制造商IXYS
标准  
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IXGA8N100概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3

IXGA8N100规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码D2PAK
包装说明D2PAK-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)16 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)54 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)900 ns
标称接通时间 (ton)15 ns
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