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K4E160411C-BL600

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
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文件大小257KB,共21页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4E160411C-BL600概述

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

K4E160411C-BL600规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J24
长度17.15 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

 
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