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MT49H8M36HU-33

产品描述DDR DRAM, 8MX36, 0.3ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
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文件大小2MB,共76页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT49H8M36HU-33概述

DDR DRAM, 8MX36, 0.3ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

MT49H8M36HU-33规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明FBGA-144
针数144
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.3 ns
其他特性AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B144
JESD-609代码e0
长度18.5 mm
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织8MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA144,12X18,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)235
电源1.5/1.8,1.8,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
连续突发长度2,4,8
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11 mm

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288Mb: x9, x18, x36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, CIO, RLDRAM II
Features
CIO
®
RLDRAM
II
MT49H32M9 – 32 Meg x 9 x 8 Banks
MT49H16M18 – 16 Meg x 18 x 8 Banks
MT49H8M36 – 8 Meg x 36 x 8 Banks
Features
• 400 MHz DDR operation (800 Mb/s/pin data rate)
• 28.8 Gb/s peak bandwidth (x36 at 400 MHz
clock frequency)
• Organization
32 Meg x 9, 16 Meg x 18, and 8 Meg x 36
• 8 internal banks for concurrent operation and
maximum bandwidth
• Reduced cycle time (20ns at 400 MHz)
• Nonmultiplexed addresses (address multiplexing
option available)
• SRAM-type interface
• Programmable READ latency (RL), row cycle time,
and burst sequence length
• Balanced READ and WRITE latencies in order to
optimize data bus utilization
• Data mask for WRITE commands
• Differential input clocks (CK, CK#)
• Differential input data clocks (DKx, DKx#)
• On-die DLL generates CK edge-aligned data and
output data clock signals
• Data valid signal (QVLD)
• 32ms refresh (8K refresh for each bank; 64K refresh
command must be issued in total each 32ms)
• 144-ball µBGA package
• HSTL I/O (1.5V or 1.8V nominal)
• 25–60Ω matched impedance outputs
• 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.5V or 1.8V V
DD
Q I/O
• On-die termination (ODT) R
TT
Figure 1:
144-Ball µBGA
Options
• Clock cycle timing
2.5ns (400 MHz)
3.3ns (300 MHz)
5ns (200 MHz)
• Configuration
32 Meg x 9
16 Meg x 18
8 Meg x 36
• Operating temperature
Commercial (0° to +95°C)
Industrial (T
C
= –40°C to +95°C;
T
A
= –40°C to +85°C)
• Package
144-ball µBGA
144-ball µBGA (Pb-free)
144-ball FBGA
144-ball FBGA (Pb-free)
Marking
-25
-33
-5
32M9
16M18
8M36
None
IT
1
FM
1
BM
2
HU
3
HT
2, 3
Notes: 1. Contact Micron for availability of industrial
temperature products.
2. Contact Micron for availability of Pb-free
products.
3. The FBGA package is being phased out.
PDF: 09005aef80a41b59/Source: 09005aef809f284b
288Mb_RLDRAM_II_CIO_D1.fm - Rev N 5/08 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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