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IDT39C60-1D

产品描述Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小1MB,共31页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT39C60-1D概述

Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48

IDT39C60-1D规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数48
Reach Compliance Codecompliant
其他特性BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL
系列CMOS
JESD-30 代码R-GDIP-T48
JESD-609代码e0
逻辑集成电路类型ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT
位数16
功能数量1
端子数量48
最高工作温度70 °C
最低工作温度
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDT39C60-1D相似产品对比

IDT39C60-1D IDT39C60AD IDT39C60BD IDT39C60D
描述 Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48 Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48 Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48 Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, CERDIP-48 DIP, DIP,
针数 48 48 48 48
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
其他特性 BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL
系列 CMOS CMOS CMOS CMOS
JESD-30 代码 R-GDIP-T48 R-GDIP-T48 R-GDIP-T48 R-GDIP-T48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
逻辑集成电路类型 ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT
位数 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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