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MT41K128M16JT-125IT

产品描述DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
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文件大小570KB,共29页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT41K128M16JT-125IT概述

DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96

MT41K128M16JT-125IT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
包装说明8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Description1.35V DDR3L SDRAM
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B96
长度14 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量96
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

MT41K128M16JT-125IT相似产品对比

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描述 DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
包装说明 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 TFBGA,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 96 96 96 96 96 96
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 128MX16 128MX16 128MX16 128MX16 128MX16 128MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -
温度等级 INDUSTRIAL OTHER INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL -
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