KM418V256ALZ-7,KM418V256ALZ-7 pdf中文资料,KM418V256ALZ-7引脚图,KM418V256ALZ-7电路-Datasheet-电子工程世界

KM418V256ALZ-7: 产品描述Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40; 产品类别存储存储; 文件大小62KB，共1页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM418V256ALZ-7概述

Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	ZIP
包装说明	ZIP, ZIP40,.1
针数	40
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PZIP-T40
JESD-609代码	e0
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	40
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP
封装等效代码	ZIP40,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	12.06 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	2.96 mm

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