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KM44C4105BS-5: 产品描述EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP2-28; 产品类别存储存储; 文件大小50KB，共1页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM44C4105BS-5概述

EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP2-28

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP2, TSOP28,.34
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	18.41 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP28,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

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