CY7C1345-100AC,CY7C1345-100AC pdf中文资料,CY7C1345-100AC引脚图,CY7C1345-100AC电路-Datasheet-电子工程世界

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CY7C1345-100AC: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小392KB，共14页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C1345-100AC概述

Cache SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

CY7C1345-100AC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	8 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.003 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.325 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm

CY7C1345-100AC相似产品对比

	CY7C1345-100AC	CY7C1345-117AC	CY7C1345-90AC
描述	Cache SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数	100	100	100
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	8 ns	7.5 ns	-
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	-
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz	133 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	-
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	-
JESD-609代码	e0	e0	-
长度	20 mm	20 mm	-
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	-
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	-
内存宽度	36	36	-
湿度敏感等级	3	3	-
功能数量	1	1	-
端子数量	100	100	-
字数	131072 words	131072 words	-
字数代码	128000	128000	-
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-
最高工作温度	70 °C	70 °C	-
组织	128KX36	128KX36	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装代码	LQFP	LQFP	-
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	-
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	-
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	-
最大待机电流	0.003 A	0.003 A	-
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	-
最大压摆率	0.325 mA	0.35 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	-
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	-
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-
表面贴装	YES	YES	-
技术	CMOS	CMOS	-
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	-
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	-
端子位置	QUAD	QUAD	-
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	-
宽度	14 mm	14 mm	-

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