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1N5519B

产品描述Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共1页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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1N5519B概述

Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5519B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-7
包装说明GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
标称参考电压3.6 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DIODES
HIGH PERFORMANCE: LOW NOISE, LOW LEAKAGE
1N5518 - 1N5546
NOMINAL
TEST
MAX ZENER MAX REVERSE LEAKAGE MAX NOISE MAX REGULATION
MAX
.
PART
ZENER
CURRENT IMPEDANCE
CURRENT
DENSITY AT
FACTOR
REGULATOR
NUMBER VOLTAGE
(NOTE 2)
(NOTE 3)
(NOTE 4)
CURRENT
(NOTE 1) Vz @ Izt
Izt
Zzt @ Izt
Ir
Vr1
Vr2
Iz = 250 µA
Vz
Iz
L
Izm
(VOLTS)
(mA)
(OHMS)
(µAdc)
(VOLTS)
(ND µV /
Hz) (VOLTS)
(mAdc)
(mAdc)
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3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
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8.2
9.1
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4.0
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40.0
45.0
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0.90
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0.20
0.20
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2.0
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75
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61
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46
42
38
35
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27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
1. Package Style
DO-7
2. Suffix denotes Vz tolerance: non suffix
±
20%, A suffix
±
10%: Ir @ Vr1, Vz, + Vf only.
Suffix B
±
5%: Ir @ Vr2, Vz,
Vz, Vf, ND.
3. Measured with 10%, 60 Hz AC superimposed on Izt.
4. Measured from 1000 to 3000 Hz.
5. Difference between Vz at Izt and Iz
L
.
6. Forward Voltage (Vf): If = 200mA, Ta = 25°C, Max = 1.1 Vdc.
°
MILITARY SCREENING AVAILABLE
P.O. BOX 609
ROCKPORT, MAINE 04856
207-236-6076
FAX 207-236-9558

 
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