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TSF20U100CC0G

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小327KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSF20U100CC0G概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

TSF20U100CC0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.79 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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TSF20U100C
Taiwan Semiconductor
Dual High-Voltage Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench MOS Barrier Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Lower power loss/ High efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
ITO-220AB
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency miniature
switched mode power supplies such as adapters, lighting and on-board DC/DC
converters.
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
5 in-lbs. max.
Weight:
1.7 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
V
AC
MIN
I
F
= 5A
Instantaneous forward voltage per diode
( Note1 )
I
F
= 10A
I
F
= 5A
I
F
= 10A
Instantaneous reverse current per diode at rated reverse
voltage
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse Test with Pulse Width=300μs, 1% Duty Cycle
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
F
V
F
I
R
R
θjC
T
J
T
STG
-
-
-
-
-
-
TSF20U100C
100
20
10
150
10000
1500
TYP
0.54
0.64
0.48
0.57
-
3.00
4
- 55 to +150
- 55 to +150
MAX
-
0.79
-
0.68
500
25
μA
mA
O
UNIT
V
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated
load per diode
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Isolation voltage from terminal to heatsink t = 1 min
A
V/μs
V
V
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1403005
Version:A14

TSF20U100CC0G相似产品对比

TSF20U100CC0G TSF20U100CC0
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 ITO-220AB, 3 PIN ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.79 V 0.79 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
最大反向电流 500 µA 500 µA
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
不知道这里有没有搞电力的朋友,提供一个电力方面资料很全的站点
中国电力论坛 http://bbs.zgepsa.com/?fromuid=89657...
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