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MT45W8MW16BGX-706LIT

产品描述Pseudo Static RAM, 8MX16, 70ns, CMOS, PBGA54, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, GREEN, VFBGA-54
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文件大小743KB,共64页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT45W8MW16BGX-706LIT概述

Pseudo Static RAM, 8MX16, 70ns, CMOS, PBGA54, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, GREEN, VFBGA-54

MT45W8MW16BGX-706LIT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA54,6X9,30
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度10 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA54,6X9,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8,1.8/3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大待机电流0.00016 A
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

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PRELIMINARY
8 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
128Mb BURST
CellularRAM
TM
1.5
Features
• Single device supports asynchronous, page, and
burst operations
• Vcc, VccQ Voltages
1.7V–1.95V Vcc
1.7V–1.95V VccQ
• Random Access Time: 70ns
• Burst Mode READ and WRITE Access
4, 8, 16, or 32 words, or continuous burst
Burst wrap or sequential
MAX clock rate: 104 MHz (
t
CLK = 9.62ns)
Burst initial latency: 39ns (4 clocks) @ 104 MHz
t
ACLK: 7ns @ 104 MHz
• Page Mode Read Access
Sixteen-word page size
Interpage read access: 70ns
Intrapage read access: 20ns
• Low Power Consumption
Asynchronous READ: < 30mA
Intrapage Read: < 15mA
Initial access, burst READ:
(39ns [4 clocks] @ 104 MHz) < 40mA
Continuous burst READ: < 25mA
Standby: < 40µA (TYP at 25 °C)
Deep power-down: < 3µA (TYP)
• Low-Power Features
On-chip Temperature Compensated Refresh (TCR)
Partial Array Refresh (PAR)
Deep Power-Down (DPD) Mode
Options
• Configuration:
8 Meg x 16
V
CC
Core Voltage Supply: 1.8V
V
CC
Q I/O Voltage Supply: 1.8V
• Package
54-ball VFBGA—”green”
• Timing
70ns access
85ns access
Designator
MT45W8MW16B
MT45W8MW16BGX
Figure 1:
Ball Assignment 54-Ball VFBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
LB#
2
OE#
3
A0
4
A1
5
A2
6
CRE
DQ8
UB#
A3
A4
CE#
DQ0
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ11
A17
A7
DQ3
V
CC
V
CC
Q
DQ12
A21
A16
DQ4
V
SS
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
DQ15
A19
A12
A13
WE#
DQ7
A18
A8
A9
A10
A11
A20
WAIT
CLK
ADV#
A22
RFU
RFU
Top View
(Ball Down)
GX
-70
-85
Options (continued)
• Frequency
66 MHz
80 MHz
104 MHz
• Standby Power at 85°C
Standard: 200µA (MAX)
Low-power: 160µA (MAX)
• Operating Temperature Range
Wireless (-30°C to +85°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Designator
6
8
1
None
L
WT
IT
Part Number Example:
MT45W8MW16BGX-701LWT
09005aef80ec6f79 pdf/09005aef80ec6f65 zip
Burst CellularRAM_128__1.fm - Rev. A 9/04 EN
1
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE BY
MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON’S PRODUCTION DATA SHEET SPECIFICATIONS.
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