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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFY044C
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IRFY044C

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220MC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小15KB，共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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IRFY044C概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220MC

IRFY044C规格参数

参数名称属性值
厂商名称TT Electronics plc
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
认证状态Not Qualified
晶体管元件材料SILICON

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IRFY044C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
10.41
10.67
4.70
5.00
0.70
0.90
3.56
Dia.
3.81
N–CHANNEL
POWER MOSFET
FOR HI–REL
APPLICATIONS
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
FEATURES
0.89
1.14
16.38
16.89
13.39
13.64
1 2 3
12.70
19.05
60V
20A
Ω
0.035Ω
10.41
10.92
• HERMETICALLY SEALED TO–220 METAL
PACKAGE
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
• LIGHTWEIGHT
• ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
2.54
BSC
2.65
2.75
TO–220M – Metal Package
Ceramic Lead Seals
Pad 1 – Gate
Pad 2 – Drain
Pad 3 – Source
AVAILABLE SCREENINGS
FULL ASSESSMENT LEVEL
SEQUENCE A
SEQUENCE B
SEQUENCE C
SEQUENCE D
IRFY044C.MOD
IRFY004C-A
IRFY004C-B
IRF044C-C
IRFY044C-D
IRFY044CJ
IRFY044CJXV
IRFY044CJTX
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25°C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
R
θJC
R
θJA
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current @ T
C
= 100°C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
C
= 25°C
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Ambient
±20V
20A
20A
128A
60W
0.48W/°C
–55 to 150°C
2.1°C/W max.
80°C/W max.
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 11/95

IRFY044C相似产品对比

IRFY044C IRFY044C-JQR-B IRFY044C-JQR-BR1
描述 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220MC Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220MC Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220MC
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc
Reach Compliance Code compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 20 A 20 A 20 A
最大漏源导通电阻 0.035 Ω 0.035 Ω 0.035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量 1 1 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 - 不符合 符合
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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