Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | TT Electronics plc |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 150 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 38 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.055 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 152 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRF150-JQR-BR1 | IRF150R1 | IRF150-QR-B | IRF150-QR-EB | IRF150-JQR-B | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | TT Electronics plc | TT Electronics plc | TT Electronics plc | TT Electronics plc | TT Electronics plc |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 150 mJ | 150 mJ | 150 mJ | 150 mJ | 150 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 38 A | 38 A | 38 A | 38 A | 38 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.055 Ω | 0.055 Ω | 0.055 Ω | 0.055 Ω | 0.055 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-3 | TO-3 | TO-3 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 152 A | 152 A | 152 A | 152 A | 152 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
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