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M36DR232B120ZA6: 产品描述SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66; 产品类别存储存储; 文件大小329KB，共46页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M36DR232B120ZA6概述

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
针数	66
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	120 ns
其他特性	THE DEVICE ALSO CONTAINS A 2 MBIT (128K X16) SRAM
JESD-30 代码	R-PBGA-B66
JESD-609代码	e0
长度	12 mm
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	66
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA66,8X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8/2 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.000025 A
最大压摆率	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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